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三星電子:將首次把3納米GAA工藝用于高性能計算機群

  據韓媒報道,三星電子25日在京畿道華城廠區內的極紫外光刻專用V1生產線舉行了適用新一代全環繞柵極技術的3納米芯片產品出廠紀念活動。據介紹,三星電子將首次把3納米GAA工藝用于高性能計算機群,并計劃與主要合作商攜手將其擴至移動系統級芯片等多種產品群。三星電子計劃繼華城廠區之后,在平澤廠區也投入量產GAA3納米芯片。

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