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搶先臺積電 傳出三星6月30日開始量產3納米芯片

  中國臺灣電子時報消息,韓媒29日指出,三星電子將于6月30日開始率先量產環繞閘極技術(GAA)架構的3納米工藝。該報導指出,三星將于本周四宣布開始大規模生產3納米芯片,率先量產環繞閘極技術(GAA)架構的3納米工藝,期許透過押寶的新世代工藝,一舉超越臺積電,取得市占領先地位。三星押寶的GAA技術為新世代工藝,能以更小的體積實現更好的功耗表現,可將芯片面積減少多達45%,同時性能提高30%,功耗降低50%,將為芯片業帶來另—次重大設計轉折。

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