時代電氣公告，公司控股子公司中車時代半導(dǎo)體擬投資4.62億元進行碳化硅芯片生產(chǎn)線技術(shù)能力提升建設(shè)項目，項目建設(shè)工期24個月。項目建成達產(chǎn)后，將現(xiàn)有平面柵SiC MOSFET芯片技術(shù)能力提升到滿足溝槽柵SiC MOSFET芯片研發(fā)能力，將現(xiàn)有4英寸SiC芯片線提升到6英寸，將現(xiàn)有4英寸SiC芯片線年10000片/年的能力提升到6英寸SiC芯片線25000片/年。
時代電氣公告，公司控股子公司中車時代半導(dǎo)體擬投資4.62億元進行碳化硅芯片生產(chǎn)線技術(shù)能力提升建設(shè)項目，項目建設(shè)工期24個月。項目建成達產(chǎn)后，將現(xiàn)有平面柵SiC MOSFET芯片技術(shù)能力提升到滿足溝槽柵SiC MOSFET芯片研發(fā)能力，將現(xiàn)有4英寸SiC芯片線提升到6英寸，將現(xiàn)有4英寸SiC芯片線年10000片/年的能力提升到6英寸SiC芯片線25000片/年。
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