DIGITIMES Research觀察，邏輯芯片工藝現已達5納米節點，且量產業者為數有限，臺積電雖技術領先，但三星電子(Samsung Electronics)亦積極追趕，除4納米工藝將在2021年下半推出外，并將在3納米啟用環繞式閘極場效晶體管(Gate-All-Around Field Effect Transistor；GAAFET)技術欲超越臺積電，然三星已推遲3納米工藝至2023年量產，恐使其更難追趕臺積電。